[发明专利]1,3-二氮杂芴化合物和电子器件有效
申请号: | 202010641980.9 | 申请日: | 2020-07-06 |
公开(公告)号: | CN111718333B | 公开(公告)日: | 2023-02-24 |
发明(设计)人: | 张业欣;朱向东;崔林松;刘向阳;陈华 | 申请(专利权)人: | 苏州久显新材料有限公司 |
主分类号: | C07D403/10 | 分类号: | C07D403/10;C07D239/70;C07D401/10;C07D413/10;C07D417/10;C07D491/048;C07D495/04;C07D487/04;C07D405/14;C07D409/14;C07F7/08;C07F7/30;C09K11/06 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 215126 江苏省苏州市自由贸易试验区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及1,3‑二氮杂芴化合物和电子器件。本发明的1,3‑二氮杂芴化合物通过引入1,3‑二氮杂芴刚性结构,其的成膜性和热稳定性优异,可用于制备有机电致发光器件、有机场效应晶体管和有机太阳能电池。另外,本发明的1,3‑二氮杂芴化合物可以作为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子阻挡层、空穴阻挡层或电子传输层的构成材料,能够降低驱动电压,提高效率、亮度和寿命等。此外,本发明的1,3‑二氮杂芴化合物的制备方法简单,原料易得,能够满足工业化的发展需求。 | ||
搜索关键词: | 二氮杂芴 化合物 电子器件 | ||
【主权项】:
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