[发明专利]一种异质集成压电单晶薄膜衬底的表面优化方法有效
| 申请号： | 202010644724.5 | 申请日： | 2020-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN111864054B | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 欧欣;鄢有泉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L41/332 | 分类号： | H01L41/332;H01L41/337 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及材料制备技术领域，特别涉及一种异质集成压电单晶薄膜衬底的表面优化方法，包括：获取待优化的异质集成压电单晶薄膜衬底，所述压电单晶薄膜衬底包括支撑层和压电单晶薄膜层；对所述压电单晶薄膜衬底进行腐蚀处理得到第一产物，所述第一产物的压电单晶薄膜层表面形成有腐蚀层；对所述第一产物进行抛光处理得到第二产物。经过腐蚀处理的压电单晶薄膜表面会形成一定厚度的均匀腐蚀层，然后通过低背压的化学机械抛光即可将腐蚀层除去，实现压电单晶薄膜表面的优化。本申请实施例所述的表面优化方法可以提高异质集成压电单晶薄膜衬底的表面平整度和薄膜近表面区域的晶格质量，同时，又能保证压电单晶薄膜厚度的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 压电 薄膜 衬底 表面 优化 方法 | ||
【主权项】：
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