[发明专利]具有高安全工作区的横向功率器件有效
| 申请号： | 202010645253.X | 申请日： | 2020-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN111933687B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 孔谋夫;吴焕杰;许家玮;张丙可;黄柯;郭嘉欣;王彬 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种具有高安全工作区的横向功率器件，属于半导体技术领域。该横向功率器件包括第一导电类型掺杂衬底、第二导电类型漂移区、第一导电类型阱区、高电位电极接触区、低电位电极和高电位电极，其特征在于，还包括由n个沟槽型栅电极隔离开的(n+1)个体区，n≥2，(n+1)个体区位于第二导电类型漂移区之内、且与第一导电类型阱区相邻，(n+1)个体区内设置不同掺杂类型的接触区。本发明提供的一种具有高安全工作区的横向功率器件，相较于传统器件，具有更优秀的饱和特性，具有高安全工作区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 安全 工作 横向 功率 器件 | ||
【主权项】：
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