[发明专利]窄光谱响应的光电探测器及其制作方法和设计方法有效
申请号: | 202010645475.1 | 申请日: | 2020-07-06 |
公开(公告)号: | CN111769168B | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 曾磊;王肇中;李林;刘媛媛 | 申请(专利权)人: | 武汉光谷量子技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/107;H01L31/18 |
代理公司: | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人: | 孟欢 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请涉及一种窄光谱响应的光电探测器及其制作方法和设计方法,所述光电探测器自上而下依次包括第一反射镜、功能区和第二反射镜;所述第一反射镜为通过气相沉积法形成的分布式布拉格DBR反射镜;所述第二反射镜为高折射率对比度的悬空反射镜,且所述第二反射镜的折射率对比度大于2。本申请提供的窄光谱响应的光电探测器,具有厚度小、制造成本低、工艺难度小的优点。 | ||
搜索关键词: | 光谱 响应 光电 探测器 及其 制作方法 设计 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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