[发明专利]一种铜锌锡硫太阳电池吸收层薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202010646745.0 | 申请日： | 2020-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN111755323B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 刘瑞建 | 申请（专利权）人： | 内蒙古大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/032 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 梁静 |
| 地址： | 010021 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明提供一种铜锌锡硫太阳电池吸收层薄膜的制备方法，一种铜锌锡硫太阳电池吸收层薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、ZnS致密层的制备；S2、铜锌锡硫薄膜的制备：在ZnS致密层上制备铜锌锡硫薄膜，将卤化铵作为添加剂加入到铜锌锡硫前驱体溶液中，然后涂覆于S1的ZnS致密层上，在150～250℃下加热退火0.5～2h，得到铜锌锡硫太阳电池吸收层薄膜。该方法通过在ZnS致密层上制备铜锌锡硫薄膜，再经退火处理，得到高致密性、高结晶度的薄膜；其中，添加了卤化铵起到辅助结晶的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铜锌锡硫 太阳电池 吸收 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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