[发明专利]非侵入式漏电检测传感器设计方法在审
申请号: | 202010648871.X | 申请日: | 2020-07-07 |
公开(公告)号: | CN112327202A | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 张杨;蒋小明;王理扬 | 申请(专利权)人: | 长沙理工大学 |
主分类号: | G01R31/52 | 分类号: | G01R31/52;G01R31/58;G01R15/20;G06F30/20;G06F30/392 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410114 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种非侵入式漏电检测传感器设计方法,通过导线磁场模型推导剩余电流计算模型,然后根据剩余电流计算模型设计传感器拓扑,并对传感器拓扑进行参数消除修正,可提高拓展传感器拓扑使用范围。本发明不但提高了漏电检测的可靠性,而且相比于传统漏电检测具有可靠性高、检测速度快的特点,提高实用性。 | ||
搜索关键词: | 侵入 漏电 检测 传感器 设计 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长沙理工大学,未经长沙理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010648871.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电子装置及其显示器
- 下一篇:一种基于CSO优化神经网络的变压器损耗计算方法