[发明专利]一种用于提高碳化硅光导开关光电转换效率的光学结构在审

专利信息
申请号: 202010649128.6 申请日: 2020-07-08
公开(公告)号: CN111739953A 公开(公告)日: 2020-10-02
发明(设计)人: 王朗宁;赵昱鑫;楚旭;荀涛;杨汉武;刘金亮;贺军涛;张军 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科技大学
主分类号: H01L31/0232 分类号: H01L31/0232;H01L31/0312;H01L31/08
代理公司: 北京盛询知识产权代理有限公司 11901 代理人: 张海青
地址: 410073 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开一种用于提高碳化硅光导开关光电转换效率的光学结构,包括碳化硅光导开关、反射结构;所述碳化硅光导开关包括透明电极、SiC材料衬底、背反电极;所述透明电极、SiC材料衬底、背反电极依次由上向下排列;所述反射结构位于所述透明电极上方;所述反射结构与所述透明电极之间的间距L满足:Lcτ/4,其中,c表示真空中的光速,τ表示高斯光脉冲的半高宽。本发明采用外置的光学结构构成光腔结构,使馈入的激光脉冲难以逸出器件,将未被碳化硅光导开关充分吸收而逸出的激光脉冲能量再次反射至器件内部,增加激光在器件内吸收的光程,能够在实现高的光电转换效率的同时保证器件光电响应。
搜索关键词: 一种 用于 提高 碳化硅 开关 光电 转换 效率 光学 结构
【主权项】:
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