[发明专利]超级势垒整流器的制备方法以及超级势垒整流器在审
申请号: | 202010649710.2 | 申请日: | 2020-07-08 |
公开(公告)号: | CN113921394A | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 钟子期;钟圣荣;周东飞;刘欢;孟宪博;董志意 | 申请(专利权)人: | 上海贝岭股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/329 | 分类号: | H01L21/329;H01L29/06;H01L29/861 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 薛琦;张冉 |
地址: | 200233 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种超级势垒整流器的制备方法以及超级势垒整流器,所述制备方法包括:在衬底上形成外延层;在所述外延层上热生长场氧化层;在所述场氧化层上刻蚀有源区;在所述有源区中注入离子并推结形成P阱;在所述有源区中刻蚀沟槽,所述沟槽贯穿所述P阱;在所述沟槽的侧壁以及底部热生长栅氧层;在所述沟槽内淀积多晶硅;在所述有源区中的所述沟槽两侧形成P型体区;在所述P型体区表面以及所述多晶硅表面制作金属电极。本发明技术方案解决了高压超势垒整流器易发生穿通击穿的难题,为量产高压超势垒整流器提供了一个切实可行的方案。 | ||
搜索关键词: | 超级 整流器 制备 方法 以及 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造