[发明专利]一种同型异质结构IMPATT二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 202010650711.9 | 申请日： | 2020-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN111739946B | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 戴扬;卢昭阳;雷晓艺;张云尧;廖晨光;张涵;贠江妮;马晓龙;赵武;张志勇;陈晓江 | 申请（专利权）人： | 西北大学 |
| 主分类号： | H01L29/864 | 分类号： | H01L29/864;H01L29/207;H01L29/205;H01L29/20;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安众和至成知识产权代理事务所(普通合伙) 61249 | 代理人： | 强宏超 |
| 地址： | 710069 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种同型异质结构IMPATT二极管及其制作方法，IMPATT二极管包括由下往上依次设置的n型GaN衬底、n++‑GaN阴极欧姆接触层、n‑GaN漂移区、n+‑GaN雪崩区、n++‑InGaN阳极欧姆接触层和阳极；钝化层位于阳极外部，阴极位于n++‑GaN阴极欧姆接触层2形成的环形台面上层并位于钝化层外部；采用了同型异质材料，与传统基于GaN的IMPATT二极管相比，避免了P型GaN掺杂工艺的限制，随着InGaN材料的掺杂浓度的升高，IMPATT二极管的效率也随之线性升高，实现了高转换效率；采用了同为n型的半导体材料，即都为n型掺杂，制造工艺上提高了效率，降低制造成本，同时和传统的IMPATT二极管封装工艺完全兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 型异质 结构 impatt 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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