[发明专利]电子掺杂实现半导体热电子寿命延长的方法及体系与应用在审
| 申请号： | 202010650799.4 | 申请日： | 2020-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN113921402A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 吴凯丰;王俊慧;王荔峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/388 | 分类号： | H01L21/388;H01L29/22;H01L29/227;H01L33/28 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 郑伟健 |
| 地址： | 116023 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种通过简单的光化学掺杂电子手段，实现常规半导体量子点(CdSe QD)中热载流子寿命显著延长的独特方法。基于CdSe QD材料体系，改变量子点导带中掺杂电子的程度，利用超快瞬态吸收光谱仪，系统研究了不同电子光掺杂程度对CdSe QD中热电子驰豫时间的影响，通过分析对比获取的动力学谱图和相关动力学参数，发现QD中电子掺杂程度较低时(25％)，其热电子寿命达到10ps左右；若QD中实现电子重度掺杂，即掺杂程度在60％左右，此时热电子驰豫寿命可被延长至300ps量级。为今后基于QD的热载流子高效提取材料体系的调控、构建和设计提供了一定的理论指导。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 掺杂 实现 半导体 寿命 延长 方法 体系 应用 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
