[发明专利]一种横向结构IMPATT二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010651096.3 | 申请日： | 2020-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN111739947B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 戴扬;卢昭阳;雷晓艺;张云尧;廖晨光;贠江妮;闫军锋;王雪文;赵武;张志勇;陈晓江 | 申请（专利权）人： | 西北大学 |
| 主分类号： | H01L29/864 | 分类号： | H01L29/864;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安众和至成知识产权代理事务所(普通合伙) 61249 | 代理人： | 强宏超 |
| 地址： | 710069 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种横向结构IMPATT二极管及其制备方法，IMPATT二极管包括：衬底层，外延层，漂移层，n‑AlGaN势垒层，n+‑GaN势垒层，左欧姆接触层，右欧姆接触层，左欧姆接触电极，右欧姆接触电极，钝化层，肖特基接触电极，横向结构IMPATT二极管通电时电流方向为沿外延层的横向，漂移层为外延层顶部形成的二维电子气薄层，渡越过程限制在漂移层而非发生在体材料中，本发明提出的IMPATT利用横向结构，在同等材料下，提高了传统垂直结构IMPATT的振荡频率、横向电路兼容性，以及频率的灵活性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 结构 impatt 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西北大学，未经西北大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010651096.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
