[发明专利]超低损耗G.654E光纤及其制作方法

摘要

本发明公开了一种超低损耗G.654E光纤及其制备方法，用PCVD法制作掺氯的梯度型折射率剖面分布纤芯及纯SiO2内包层，用POVD法制作掺氟斜坡下陷包层及纯SiO2外包层，最后拉丝，纤芯和纯SiO2内包层界面两侧的折射率相同，掺氯纤芯和纯SiO2内包层的界面形成全内反射的第一导光界面，掺氟斜坡型折射率环沟型下陷包层的内径处，折射率由内向外由大减小，形成第二导光界面，掺氟斜坡型折射率环沟型下陷包层折射率分布处的折射率呈现斜坡型与外包层形成一定的梯度差，其界面折射率由内向外，从小到大，不形成明显的折光面。通过上述方式，本发明超低损耗G.654E光纤及其制作方法，能够避免界面的粘度失配，同时不会增加纤芯因组份起伏引起的瑞利散射损耗。