[发明专利]阵列基板及其制作方法在审
| 申请号： | 202010652586.5 | 申请日： | 2020-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN111785736A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 翟玉浩 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 王芳芳 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：柔性基板；依次设置于所述柔性基板上的有源层图案、栅极绝缘层图案、栅极图案以及层间介质层图案；其中，所述层间介质层图案包括第一层间介质层图案和设置在所述第一层间介质层图案上的第二层间介质层图案，所述第一层间介质层图案的材料为无机材料，所述第二层间介质层图案的材料为有机材料。该方案能够有效减少阵列基板中的无机膜层，提高阵列基板的耐弯折性，避免裂纹产生。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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