[发明专利]聚苯胺修饰黑磷纳米片的多功能电子器件及其制法和应用有效

专利信息
申请号: 202010652703.8 申请日: 2020-07-08
公开(公告)号: CN111834526B 公开(公告)日: 2022-06-21
发明(设计)人: 张斌;侯杰;樊菲;龚明磊 申请(专利权)人: 华东理工大学
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;G11C16/14;B82Y10/00;B82Y30/00
代理公司: 上海三和万国知识产权代理事务所(普通合伙) 31230 代理人: 任艳霞
地址: 200237 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明属于信息存储技术领域,具体提供了一种基于聚苯胺修饰黑磷纳米片的多功能电子器件及其制备方法和应用,同时具备忆阻器性能和非易失性可擦写阻变存储性能。本发明中器件结构为经典的三明治结构,顶电极为Al,活性层为聚苯胺修饰的黑磷纳米片,底电极为ITO(氧化铟锡)。该器件在小电压窗口表现出忆阻器特性,且具有良好的线性关系;在大电压窗口则表现出双稳态非易失性可擦写行为,具有良好的保持性和耐受性。
搜索关键词: 苯胺 修饰 黑磷 纳米 多功能 电子器件 及其 制法 应用
【主权项】:
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