[发明专利]电容和电路元件在审
| 申请号： | 202010654703.1 | 申请日： | 2020-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN111952266A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 殷树娟 | 申请（专利权）人： | 北京信息科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L27/08;H01L29/94 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 胡艳华;栗若木 |
| 地址： | 100192 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电容，包括：金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET、直流电源；金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的源极与漏极连接后的共同引出端作为所述电容的第一极板；所述MOSFET的栅极作为所述电容的第二极板，所述MOSFET的栅极通过直流电源与所述MOSFET的衬底连接。本发明还公开了一种电路元件，包括第一电容、第二电容；所述第一电容和第二电容各自包括：MOSFET、直流电源；MOSFET的源极与漏极连接后的共同引出端作为所述电容的第一极板；所述MOSFET的栅极作为所述电容的第二极板，所述MOSFET的栅极通过直流电源与所述MOSFET的衬底连接；其中，所述第一电容与所述第二电容中的MOSFET的类型不同；第一电容与第二电容串联。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 电路 元件 | ||
【主权项】：
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