[发明专利]三维存储器设备的接合开口结构及其形成方法有效
| 申请号： | 202010655153.5 | 申请日： | 2018-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN111933576B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 吕震宇;施文广;吴关平;潘锋;万先进;陈保友 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 刘健;张殿慧 |
| 地址： | 430223 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种3D存储器设备的接合开口结构和其制造方法。此接合开口结构包括穿过第一堆叠层与第一绝缘连接层的第一通孔、位于该第一通孔的底部的第一沟道结构、位于该第一通孔的侧壁上的第一功能层、位于该第一功能层的侧壁上的第二沟道结构、在该第一通孔上方的第三沟道结构、位于该第三沟道结构上的第二堆叠层、位于该第二堆叠层上的第二绝缘连接层、穿过该第二堆叠层与该第二绝缘连接层的第二通孔、设置在该第二通孔的侧壁上的第二功能层、位于该第二功能层的侧壁上的第四沟道结构、以及在该第二通孔上的第五沟道结构。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 设备 接合 开口 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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