[发明专利]一种内嵌含能薄膜的自毁芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202010656256.3 | 申请日： | 2020-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN111739850A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 张剑;张庆明;焦纲领;王燕兰;张蕾;沈永福;张方;褚恩义;陈建华;韩瑞山 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军92228部队;中国兵器工业第二一三研究所 |
| 主分类号： | H01L23/34 | 分类号： | H01L23/34;H01L23/00;B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京科石知识产权代理有限公司 11595 | 代理人： | 徐红岗 |
| 地址： | 100072 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种内嵌含能薄膜的自毁芯片及其制备方法。该芯片以待毁伤信息芯片为基底层，利用MEMS技术，依次将微加热器层、含能薄膜层集成制造在基底层上，该芯片可显著降低自毁芯片中含能材料装药量，提高使用安全性，同时通过进一步使用耐高温含能材料以及低温封装技术，可确保含能薄膜以及自毁芯片的应用性能在各种恶劣环境下不退化，并增加芯片的散热能力、机械性质与物理性质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 内嵌含能 薄膜 自毁 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军92228部队;中国兵器工业第二一三研究所，未经中国人民解放军92228部队;中国兵器工业第二一三研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010656256.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：锤击群桩挤土效应半模模型试验装置及其试验方法
- 下一篇：一种新型搅拌釜
