[发明专利]存储单元、存储器器件以及用于形成存储器器件的方法在审
| 申请号： | 202010656452.0 | 申请日： | 2020-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN112436087A | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 金海光;吴启明;蔡正原;蔡子中;江法伸 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的各种实施例涉及包含数据存储结构的存储单元。顶部电极上覆于底部电极。数据存储结构安置于顶部电极与底部电极之间。数据存储结构包含第一数据存储层、第二数据存储层以及第三数据存储层。第二数据存储层安置于第一数据存储层与第三数据存储层之间。第二数据存储层具有比第三数据存储层低的带隙。第一数据存储层具有比第二数据存储层低的带隙。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 存储器 器件 以及 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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