[发明专利]碳化硅单晶生长装置有效
| 申请号： | 202010657683.3 | 申请日： | 2020-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN111748843B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 崔殿鹏 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人： | 孙向民;廉莉莉 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅单晶生长装置，包括：石墨坩埚，所述石墨坩埚用于盛装碳化硅粉料，并通过对所述碳化硅粉料进行加热，以使所述碳化硅粉料升华分解为气相组分；籽晶托，用于盛装能够生长碳化硅单晶的籽晶；导热容器，包括容器壁和空腔，所述导热容器设置于所述石墨坩埚内，所述空腔用于容纳含硅粉料，所述容器壁用于将所述石墨坩埚的热量传导至所述空腔中，以使所述纳含硅粉料在吸收热量后产生的气相组分能够缓释到所述石墨坩埚里的所述碳化硅粉料中。实现在碳化硅单晶生长过程中补充气相硅组分，减少碳化硅粉料碳化的同时，保持晶体生长区域的碳、硅组分比不变，减少碳化硅单晶中的碳包裹物缺陷，提高碳化硅单晶生长质量。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 生长 装置 | ||
【主权项】：
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