[发明专利]基于晶闸管的静电保护单元及其并联结构

摘要

本发明提供一种基于晶闸管的静电保护单元及其并联结构，该静电保护单元包括：晶闸管及NMOS管；晶闸管包括：形成于N阱中的寄生PNP管、形成于P阱中的寄生NPN管，N阱及P阱相邻，寄生NPN管的集电极/基极形成的反向PN结为低反向击穿电压的反向PN结；寄生PNP管的发射极连接至阳极，基极通过N阱的寄生电阻连接至阳极；集电极连接至NPN管的基极，并通过P阱的寄生电阻连接至阴极；寄生NPN管的发射极连接至阴极，集电极通过N阱的寄生电阻连接至阳极；NMOS管形成于寄生NPN管一侧的P阱中，源极连接至阴极，漏极连接至阳极。本发明通过在晶闸管的寄生NPN管所在的P阱内增加NMOS管，在满足具有较低的触发电压及足够的电流能力的同时，有效解决了闩锁问题。