[发明专利]一种半导体封装结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202010658821.X 申请日: 2020-07-09
公开(公告)号: CN111682006A 公开(公告)日: 2020-09-18
发明(设计)人: 申政澔;袁泉 申请(专利权)人: 江苏纳沛斯半导体有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 223002 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明属于半导体封装技术领域,公开了一种半导体封装结构及其制造方法,所述半导体封装结构包括:设有芯片焊垫的半导体基板;形成于所述芯片焊垫上的高分子凸块层,且高分子凸块层内设有多个可暴露芯片焊垫的通孔;形成于所述高分子凸块层上的金属粘合层,且金属粘合层包括位于通孔内侧并连接到芯片焊垫上的多个柱状体、与多个柱状体连接并位于高分子凸块层顶部的平面部;与所述金属粘合层的平面部相连的焊接凸块;综上,在本发明中,基于高分子凸块层的设置,能有效缩小电极端子与金属粘合层之间的距离,实现微间距连接;由此,电信号的移动距离缩短、半导体封装的尺寸减小,有利于实现半导体芯片的高速化和小型化。
搜索关键词: 一种 半导体 封装 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
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