[发明专利]高聚物缓冲层铜同轴TGV、转接板及其制备方法在审
| 申请号： | 202010659553.3 | 申请日： | 2020-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN111739870A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 陈雨哲;张继华;陈宏伟;高莉彬;方针;曲胜;邹思月;王文君;蔡星周;穆俊宏 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;成都迈科科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙) 51241 | 代理人： | 李鹏 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高聚物缓冲层铜同轴TGV，包括依次设置的铜柱、环形的内缓冲层、环形的铜层以及环形的外缓冲层，所述铜柱、内缓冲层、铜层以及外缓冲层从内至外依次设置，所述外缓冲层以及所述内缓冲层为高聚物苯并环丁烯层。还提供了具有该同轴TGV的转接板和转接板制造方法。高聚物缓冲层尺寸灵活可变，便于根据匹配原则设计出不同尺寸的同轴TGV结构。详细给出了高聚物缓冲层铜同轴TGV结构制备方案，该方案采用高聚物填充环形槽的方式实现缓冲层制备。工艺实现方案保证阻抗匹配设计的同时使整体结构尺寸小，并提高了封装的热稳定性，有利于未来高密度三维集成。 | ||
| 搜索关键词： | 高聚物 缓冲 同轴 tgv 转接 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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