[发明专利]DRAM的测试方法、装置、计算机可读存储介质及电子设备有效
| 申请号： | 202010660417.6 | 申请日： | 2020-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN111863111B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 刘冲;李振华 | 申请（专利权）人： | 深圳佰维存储科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人： | 卜科武 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道平山社区留仙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种DRAM的测试方法、装置、计算机可读存储介质及电子设备，对DRAM进行测试时，对DRAM的每一第一预设读写单元跳跃选取第二预设读写单元并写入数据直至待测试的DRAM的存储阵列均写入数据为止，在进行数据读取时，按照与数据写入对应的顺序以及对应的数据进行跳跃读取数据，根据跳跃写入的数据结果以及对应的跳跃读取的数据结果来得到DRAM的测试结果；本发明实施例通过跳跃读写的方式很好的模拟用户实际的使用环境，可以更好地检测出DRAM中的weak cell和故障单元，覆盖到现有常规算法检测不到的问题，能够提高故障覆盖率。 | ||
| 搜索关键词： | dram 测试 方法 装置 计算机 可读 存储 介质 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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