[发明专利]一种高硅含量的硅碳负极极片及其制备方法有效
| 申请号： | 202010661225.7 | 申请日： | 2020-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN113921756B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名;请求不公布姓名;姚林林;请求不公布姓名;请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 兰溪致德新能源材料有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/133 | 分类号： | H01M4/133;H01M4/134;H01M4/66;H01M4/38;H01M4/583;H01M4/62 |
| 代理公司： | 北京久诚知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11542 | 代理人： | 余罡 |
| 地址： | 321100 浙江省金华*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高硅含量的硅碳负极极片，包括集流体、形成于所述集流体表面的碳层、形成于碳层表面的硅材料层，所述碳层和所述硅材料层的质量比为5:95~50:50。本发明集流体表面涂碳层，并控制其厚度和孔隙率，可极大地缓解硅负极膨胀，当匹配合适的硅负极材料时，可以实现50%以上的硅负极含量，从而可大幅度提高极片的比容量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含量 负极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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