[发明专利]一种反熔丝存储器阵列的电压控制方法及电路有效

专利信息
申请号: 202010661652.5 申请日: 2020-07-10
公开(公告)号: CN111798911B 公开(公告)日: 2022-07-05
发明(设计)人: 王妍;张培健;徐鸣远;陈仙;蒋飞宇;廖希异;邱盛;张正元;李儒章;蒋和全;戴永红 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
主分类号: G11C17/16 分类号: G11C17/16;G11C17/18;G11C5/14
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 代玲
地址: 400060 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明提出一种反熔丝存储器阵列的电压控制方法及电路,包括获取存储数据地址,将所述存储数据地址划分为多个位段,每个所述位段经过译码后,通过一组高电压电平转换器转换为一组控制信号;每组所述控制信号接入一组数据选择器,通过多组所述数据选择器依次串接,在每组所述控制信号作用下将输入所述数据选择器的选择电压输出至反熔丝单元,并对所述存储数据地址对应的反熔丝单元进行编码或读取;其中,所述选择电压至少包括:编码选择电压、读取选择电压、非指定反熔丝单元选择电压;本发明在实现编程/读取的同时,可有效减少管子的数量,节约版图面积。
搜索关键词: 一种 反熔丝 存储器 阵列 电压 控制 方法 电路
【主权项】:
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