[发明专利]一种高频可调节磁场探测器的制备方法有效
| 申请号： | 202010661706.8 | 申请日： | 2020-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN111880124B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 欧欣;伊艾伦;黄凯;赵晓蒙;张师斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01R33/00 | 分类号： | G01R33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及磁场探测技术领域，本发明公开了一种高频可调节磁场探测器的制备方法。该探测器的制备方法具体如下，通过对具有二氧化硅介质层的碳化硅薄膜衬底进行图形化，进而得到待键合碳化硅薄膜衬底，并将该待键合碳化硅薄膜衬底与压电薄膜衬底进行键合，对键合后的薄膜衬底进行退火剥离，得到碳化硅‑压电薄膜结构，再通过刻蚀掉该碳化硅‑压电薄膜内部的部分二氧化硅介质层，之后通过制备叉指电极、低温快退火等工序，得到该磁场探测器。本申请提供的磁场探测器具有频率高和灵敏度高的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高频 调节 磁场 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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