[发明专利]一种SiC MOSFET IPM快速短路保护电路在审
| 申请号： | 202010663118.8 | 申请日： | 2020-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN111969561A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 孟昭亮;李静宇;高勇;杨媛;董志伟;胡梦阳;张泽涛;吕亚茹;方正鹏 | 申请（专利权）人： | 西安工程大学 |
| 主分类号： | H02H7/12 | 分类号： | H02H7/12;H02H1/00 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 韩玙 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC MOSFET IPM快速短路保护电路，包括由6个SiC MOSFET组成的三相桥式功率单元，三相桥式功率单元中的每个SiC MOSFET的源极以及每相交流输出端均串联有1个分流器，记为分流器RS1‑RS9，每相交流输出端的3个分流器用以检测负载短路故障，每个SiC MOSFET的源极分流器用以检测硬开关短路故障。本发明解决了现有技术中存在的保护电路的消隐时间过长，造成SiC MOSFET IPM损坏的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic mosfet ipm 快速 短路 保护 电路 | ||
【主权项】：
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