[发明专利]多孔硅-金枝晶复合结构的单步快速制备方法在审
| 申请号： | 202010666918.5 | 申请日： | 2020-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN111965158A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 葛道晗;张远;丁杰;张立强 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65;C25F3/12;B82Y40/00;B82Y15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于电化学腐蚀与硅微结构制备技术领域，涉及多孔硅‑金枝晶复合结构的快速制备方法；具体步骤为：首先选择硅片，经切割、清洗，得到预处理后的硅片；然后将氢氟酸、二甲基甲酰胺和四氯金酸溶液，混合，得到电化学腐蚀液；浸入预处理后的硅片，同时施加恒定的电流，进行电化学腐蚀，一步处理即可得到多孔硅‑金枝晶复合结构；最后将制备的多孔硅‑金枝晶复合结构清洗后，获得最终的复合结构；本发明的通过配制电化学腐蚀液，浸入硅片，实现多孔硅‑金纳米复合结构的单步快速制备，并通过改变四氯金酸溶液浓度，对复合结构的SERS性能进行调控；本发明步骤简单、操作方便、用时短，能快速、高效的制备出多孔硅‑金枝晶复合结构。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 金枝 复合 结构 快速 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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