[发明专利]太阳能电池的硼掺杂方法在审
| 申请号： | 202010667296.8 | 申请日： | 2020-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN111785615A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 汤佳丽;张学成;杨立功 | 申请（专利权）人： | 常州时创能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池的硼掺杂方法，包括沉积硼浆和激光掺杂，还包括热处理；在硅片表面沉积硼浆之后，先热处理，再激光掺杂。本发明在沉积硼浆和激光掺杂之间进行一定温度和时间的热处理，一方面热处理对硅片表面及体内缺陷进行有效的初步氢钝化，另一方面硼浆经热处理后得到初步扩散，再经激光进行二次掺杂，可达到电池片的有效钝化和硼元素的有效掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
