[发明专利]热处理装置和热处理方法在审
| 申请号： | 202010667579.2 | 申请日： | 2020-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN112289701A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 佐野要平 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种热处理装置和热处理方法。对形成有抗蚀剂的覆膜且该覆膜被实施了曝光处理的基片进行热处理的热处理装置即热处理单元(U8)包括：能够支承并加热基片的加热板(21)；覆盖加热板(21)上的处理空间(S)的腔室(41)；在腔室(41)内，从上方朝向加热板上的基片释放处理用气体的气体释放部(50)；在腔室(41)内，从比基片的表面靠下方的位置向腔室内供给气体的气体供给部即气体流路(81)；和排气机构(70)，其经由设置在处理空间(S)的上方且具有朝向下方的开口的排气孔(71)，对腔室内进行排气。根据本发明，能够抑制来自基片上的覆膜的升华物的飞散。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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