[发明专利]高边带抑制比的双驱M-Z光学单边带调制器有效
| 申请号： | 202010668264.X | 申请日： | 2020-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN111610596B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 华勇;李淼淼;杨千泽;吴磊 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/122;G02B6/125;G02B6/126;G02B6/134;H04B10/516 |
| 代理公司： | 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 | 代理人： | 袁泉 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高边带抑制比的双驱M‑Z光学单边带调制器，包括基底、光波导、射频电极和偏置电极,所述基底采用光电材料制成，所述光波导包括输入直波导、可调Y分支波导、上臂波导、下臂波导、合束区波导和输出直波导，所述基底对应可调Y分支波导的位置处设有调节电极。本发明中，将Y分支波导替换为可调Y分支波导，并对应设置调节电极，在可调Y分支波导中对分光比进行调节，从而弥补Y分支波导器件制备工艺不理想对边带抑制比的影响，同时通过调配分光比还可以补偿由于器件两臂波导的半波电压不均等及微波混合耦合器功率分配不理想对边带抑制比的影响，从而提高光学单边带调制器的边带抑制比。 | ||
| 搜索关键词： | 边带 抑制 光学 调制器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所，未经中国电子科技集团公司第四十四研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010668264.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
