[发明专利]电场调控二维全向金属-介质复合隐身器件及制作方法有效
| 申请号： | 202010668434.4 | 申请日： | 2020-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN111969326B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 赵乾;彭瑞光;孟永钢;周济 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 王佳璐 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电场调控二维全向金属‑介质复合隐身器件，包括隐身器件主体和电场调控系统，隐身器件主体包括第一电介质板、第二电介质板和环形金属十字阵列；第一电介质板和第二电介质板交替排列构成层状堆叠结构，层状堆叠结构为具有圆柱状空间的圆环柱状体；第一电介质板的两侧面上分别附着N层环形金属十字阵列，每层环形金属十字阵列包括多个长方体晶格单元；电场调控系统用于使隐身器件主体的频率特性曲线发生移动，实现对隐身器件工作频率的调谐。本发明实现对不同频段的电磁波的隐身，适用范围大、控制方便、结构简单合理、装配方便且结构稳定性高。本发明还公开了一种电场调控二维全向金属‑介质复合隐身器件的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 电场 调控 二维 全向 金属 介质 复合 隐身 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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