[发明专利]集成电路装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010668935.2 | 申请日： | 2020-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN112701223A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 崔炳德;金炯永 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩芳;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种集成电路(IC)装置及其制造方法。所述集成电路(IC)装置包括：下电极，包括具有侧壁的主要部分和顶部部分，侧壁具有至少一个台阶部分，顶部部分在横向方向上具有比主要部分的宽度小的宽度。上支撑图案接触下电极的顶部部分。上支撑图案包括接缝部分。为了制造IC装置，在基底上形成模制图案和上牺牲支撑图案，多个孔穿过模制图案和上牺牲支撑图案。在多个孔的内部形成多个下电极。在模制图案上形成外围空间。通过减小顶部部分的宽度和高度来形成扩大的外围空间。形成上支撑图案以填充扩大的外围空间。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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