[发明专利]一种P型SiC欧姆接触电极的制作方法在审
| 申请号： | 202010669334.3 | 申请日： | 2020-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN111785620A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 崔素杭;白欣娇;李帅;袁凤坡;李晓波;李婷婷;张乾 | 申请（专利权）人： | 同辉电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/45 |
| 代理公司： | 石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙) 13115 | 代理人： | 周大伟 |
| 地址： | 050200 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： |
本发明涉及功率半导体封装技术领域，涉及一种P型SiC欧姆接触电极的制作方法，该方法的步骤依次包括；使用RCA清洗法清洗SiC衬底；使用干氧氧化法，使SiC衬底表面形成SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 sic 欧姆 接触 电极 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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