[发明专利]一种横向变掺杂终端结构及设计方法和制备方法在审

专利信息
申请号: 202010669592.1 申请日: 2020-07-13
公开(公告)号: CN111755504A 公开(公告)日: 2020-10-09
发明(设计)人: 任敏;蓝瑶瑶;李吕强;郭乔;高巍;李泽宏;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L21/266;G06F30/20
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 敖欢
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供一种横向变掺杂终端结构及设计方法和制备方法,终端结构包括所述重掺杂第一导电类型半导体衬底1、所述第一导电类型半导体漂移区2和所述第二导电类型半导体终端区3。而它的制备方法也较为简单,先在所述第一导电类型半导体漂移区2上生长牺牲氧化层,然后关键步骤是根据最优的注入窗口宽度分布函数a(xn)制作掩膜版,下一步进行光刻以及刻蚀,最后对光刻出来的离子注入窗口进行注入以及高温退火,形成所述第二导电类型半导体终端区3。本发明提出了优化模型对横向变掺杂的终端窗口进行设计,使终端区得到与有源区距离成反比的杂质浓度分布,从而优化了终端区表面电场,提高了终端的耐压。
搜索关键词: 一种 横向 掺杂 终端 结构 设计 方法 制备
【主权项】:
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