[发明专利]一种高镍无钴四元正极材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010669836.6 申请日: 2020-07-13
公开(公告)号: CN111816877A 公开(公告)日: 2020-10-23
发明(设计)人: 高剑;谭铁宁;刘洋;王铭 申请(专利权)人: 四川长虹电器股份有限公司
主分类号: H01M4/62 分类号: H01M4/62;H01M4/505;H01M4/525;H01M10/0525
代理公司: 四川省成都市天策商标专利事务所 51213 代理人: 胡慧东
地址: 621000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种高镍无钴四元正极材料及其制备方法,该正极材料化学式为LiNixMnyMzN(1‑x‑y‑z)O2,其中0.8≤x1,0y0.2,0z0.2,M和N为Al,Mg,Zr,Ti,Cr,W,V,Ce,Fe,Cu,Zn,Nb中任意两种的组合。本发明的主要优势为:未使用昂贵的钴元素,前驱体制备过程中未使用氨水络合剂,一次烧结获得的高镍无钴四元正极材料表面碱含量低,不涉及材料的水洗和二次烧结过程,这使得制备成本大大下降;此外,所述高镍无钴四元正极材料具有极佳的倍率性能,1C倍率下比容量达到200mAh/g以上,而且循环稳定性优异,经过500次循环后容量保持率超过95%。
搜索关键词: 一种 高镍无钴四元 正极 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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