[发明专利]EDMOS器件结构有效
| 申请号： | 202010672175.2 | 申请日： | 2020-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN111710721B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 刘俊文 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体制作技术领域，具体涉及一种EDMOS器件。EDMOS器件结构，包括：半导体衬底，半导体衬底的上层掺杂形成第一导电类型高压阱；轻掺杂第二导电类型漂移区，位于第一导电类型高压阱的上层；第一导电类型体区，位于第一导电类型高压阱的上层中，且与轻掺杂第二导电类型漂移区相邻；栅极结构，位于第一导电类型体区和轻掺杂第二导电类型漂移区的相邻界面上；漏极，位于轻掺杂第二导电类型漂移区中，远离栅极结构的一侧；控制栅，设置在轻掺杂第二导电类型漂移区上，位于栅极结构和漏极之间，用于分散轻掺杂第二导电类型漂移区中的电场分布。本申请提供的EDMOS器件结构，可以解决相关技术中存在的导通电阻偏高，无法满足应用需求的问题。 | ||
| 搜索关键词： | edmos 器件 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华虹半导体（无锡）有限公司，未经华虹半导体（无锡）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010672175.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
