[发明专利]一种窄禁带半导体/超导体异质结纳米线的制备方法在审
| 申请号： | 202010672178.6 | 申请日： | 2020-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN111762755A | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 潘东;刘磊;赵建华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82Y10/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种窄禁带半导体/超导体异质结纳米线的制备方法，包括：将衬底(10)放置于制备设备中，在衬底表面生长半导体纳米线(11)，以半导体纳米线(11)为内核，在半导体纳米线(11)的侧壁上原位外延生长窄禁带半导体纳米线壳层(12)，在窄禁带半导体纳米线壳层(12)表面原位外延生长超导体层(13)。该方法制备的窄禁带半导体/超导体异质结纳米线具有高的晶体质量，异质结界面可达原子级平整。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 窄禁带 半导体 超导体 异质结 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
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