[发明专利]基于MOSFET的换能拓扑结构在审
申请号: | 202010672372.4 | 申请日: | 2020-07-14 |
公开(公告)号: | CN111682742A | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 陈亮;沈琪超;陈晟;黄勇 | 申请(专利权)人: | 江苏海莱新创医疗科技有限公司 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088;H02M5/293 |
代理公司: | 北京世衡知识产权代理事务所(普通合伙) 11686 | 代理人: | 肖淑芳 |
地址: | 214100 江苏省无锡市无锡惠山*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种基于MOSFET的换能拓扑结构,包括至少四个换向模块,分别连接在交流电源X相和Y相的正极和负极,所述换向模块包括至少两个MOSFET,一个MOSFET一端接交流电源,另一端接另一个MOSFET的一端,另一个MOSFET的另一端为输出,两个MOSFET同时导通和关断。上述换能拓扑结构使用MOSFET器件,进行中高频电压信号的控制,可实现多路之间电压信号的切换,且电路所需半导体器件封装小、成本低、可选择范围广。 | ||
搜索关键词: | 基于 mosfet 拓扑 结构 | ||
【主权项】:
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
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H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
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