[发明专利]一种复合压电衬底及其制备方法在审
| 申请号： | 202010673179.2 | 申请日： | 2020-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN111816756A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 李真宇;杨超 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/277 | 分类号： | H01L41/277;H01L41/083 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区港*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种复合压电衬底及其制备方法，包括：交替循环向所述反应炉内通入第一反应气氛和第二反应气氛，直至制备得到目标复合压电衬底，所述目标复合压电衬底包括在所述硅片内、由所述硅片外表面向内依次形成的交替堆叠的第一衬底层和第二衬底层，当向所述反应炉内通入所述含氧气氛时，所述反应炉内的氧化温度为850‑1200℃，当向所述反应炉内通入所述含氮气氛时，所述反应炉内的氮化温度为1100‑1400℃。本申请实施例在制备过程中，反应炉内可以放置几十至几百片硅片，也就是说，每个反应炉每次可以制备几十至几百片复合压电衬底，并且在制备过程中，只需向反应炉内交替通入含氧气氛和含氮气氛即可，不需要将移动硅片，从而大大提供了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 压电 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于济南晶正电子科技有限公司，未经济南晶正电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010673179.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种极性检测装置
- 下一篇：一种电子产品生产用涂胶后压合辅助装置
