[发明专利]一种三维ZnO/CuO纳米异质分级结构光电极的制备方法有效
| 申请号： | 202010673272.3 | 申请日： | 2020-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN111755256B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 吴璠;马荣荣;肖铭星 | 申请（专利权）人： | 湖州师范学院 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20;H01G9/042;H01M14/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 绍兴市越兴专利事务所(普通合伙) 33220 | 代理人： | 蒋卫东 |
| 地址： | 313000 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及纳米半导体材料和新能源领域，确切地说是一种新型半导体光电极的结构及其制备方法。本发明一种三维ZnO/CuO纳米异质分级结构光电极，该对电极是在片状导电基底的一面通过水热法制备一层氧化锌纳米棒阵列，然后再通过水热法在氧化锌纳米棒的表面生长树枝状氧化铜纳米棒的分级结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 zno cuo 纳米 分级 结构 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
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