[发明专利]一种10-50nm高纯度纳米氧化铈的制备方法在审
| 申请号： | 202010675867.2 | 申请日： | 2020-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN113929127A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 广西立之亿新材料有限公司 |
| 主分类号： | C01F17/235 | 分类号： | C01F17/235;C01F17/10;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 张晓冬 |
| 地址： | 530007 广西壮族自治区南宁市高新区滨河路28号中国-东盟企业总部基*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体材料制备技术领域，具体涉及一种10‑50nm高纯度纳米氧化铈的制备方法。一种10‑50nm高纯度纳米氧化铈的制备方法，包括以下步骤：(1)将高纯度硝酸铈、高纯度甘氨酸和高纯度PEG原料用半导体级超纯水进行溶解，将所得溶液采用密闭式高纯保护气体喷雾干燥器进行干燥，生成微米级的干粉；(2)采用高纯氧气将生成的粉末输运到高温反应炉里，粉末在高温炉里进行爆炸式反应，即可得到粒径为10‑50nm、纯度为99.9999wt％以上的纳米氧化铈。本发明10‑50nm高纯度纳米氧化铈的制备方法简单且稳定，工序少，生产效率高，产生易于吸收处理的尾气，生产成本低，生产的纳米氧化铈为类球形，粒径在10‑50nm可控、粒径分布窄、易于分散；可应用于半导体领域的化学机械抛光。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 10 50 nm 纯度 纳米 氧化 制备 方法 | ||
【主权项】：
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