[发明专利]钙钛矿发光二极管及其制备方法在审
申请号: | 202010676379.3 | 申请日: | 2020-07-14 |
公开(公告)号: | CN111785848A | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 闵永刚;程鹏;廖松义;谭婉怡;黄兴文;李越珠 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学;东莞华南设计创新院 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳科湾知识产权代理事务所(普通合伙) 44585 | 代理人: | 钟斌 |
地址: | 510060 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种钙钛矿发光二极管及其制备方法,所述钙钛矿发光二极管包括依次层叠的金属电极层、电子传输层、钙钛矿蓝光材料层、空穴传输层及透明导电层;所述透明导电层包括导电膜及双层透明玻璃,所述双层透明玻璃之间设有钙钛矿红光材料层和钙钛矿绿光材料层;所述钙钛矿红光材料层和钙钛矿绿光材料层之间还设有透光隔离材料层。本发明提供的钙钛矿发光二极管具有发光波段窄、发光强度大,而且电致发光和光致发光相结合的发光特点是的器件能耗很低,对于推进PeLED的商业化进程具有重要意义。 | ||
搜索关键词: | 钙钛矿 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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