[发明专利]钙钛矿发光二极管及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010676379.3 申请日: 2020-07-14
公开(公告)号: CN111785848A 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: 闵永刚;程鹏;廖松义;谭婉怡;黄兴文;李越珠 申请(专利权)人: 广东工业大学;东莞华南设计创新院
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 深圳科湾知识产权代理事务所(普通合伙) 44585 代理人: 钟斌
地址: 510060 *** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种钙钛矿发光二极管及其制备方法,所述钙钛矿发光二极管包括依次层叠的金属电极层、电子传输层、钙钛矿蓝光材料层、空穴传输层及透明导电层;所述透明导电层包括导电膜及双层透明玻璃,所述双层透明玻璃之间设有钙钛矿红光材料层和钙钛矿绿光材料层;所述钙钛矿红光材料层和钙钛矿绿光材料层之间还设有透光隔离材料层。本发明提供的钙钛矿发光二极管具有发光波段窄、发光强度大,而且电致发光和光致发光相结合的发光特点是的器件能耗很低,对于推进PeLED的商业化进程具有重要意义。
搜索关键词: 钙钛矿 发光二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
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