[发明专利]抗水解的GaN外延结构及其制作方法和芯片在审
| 申请号： | 202010679475.3 | 申请日： | 2020-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN111834508A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿;庄家铭 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫;李素兰 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了抗水解的GaN外延结构及其制作方法和芯片，其中，所述外延结构包括衬底、设置在衬底上的缓冲层、设置在缓冲层上的3D‑Gr层、设置在3D‑Gr层上的缺陷阻挡层、设置在缺陷阻挡层上的第一半导体层、设置在第一半导体层上的有源层、以及设置在有源层上的第二半导体层。本发明通过缓冲层、3D‑Gr层和缺陷阻挡层的相互作用，有效减少外延结构的晶格缺陷，提高外延结构的晶体质量，同时提高缓冲层、3D‑Gr层和缺陷阻挡层的密度，减缓缓冲层、3D‑Gr层和缺陷阻挡层的水解腐蚀速率，从而提高外延结构的抗水解能力。 | ||
| 搜索关键词： | 水解 gan 外延 结构 及其 制作方法 芯片 | ||
【主权项】：
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