[发明专利]互连结构的制作方法及器件在审
| 申请号： | 202010679507.X | 申请日： | 2020-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN111696918A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 陈瑜;陈华伦;吴长明 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L23/532 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种互连结构的制作方法及器件，该器件包括：第一金属层，其包括铜；接触通孔，其形成于第一金属层上，其从内向外依次包括铝芯、粘附层和铜阻挡层；第二金属层，其形成于接触通孔上，第二金属层包括铝。本申请通过将器件的互连结构的上层金属层设置为铝，将接触通孔的内芯设置于为铝芯，将下层金属层设置为铜，由于铜具有较高的稳定性，从而提高了器件的稳定性；同时，将接触通孔的铝芯外设置铜阻挡层和铜粘附层，从而使接触通孔能够和铜制材料的下层金属形成稳定的电连接关系。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 制作方法 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
