[发明专利]NORD闪存及其制作方法

摘要

本申请涉及半导体集成电路制造领域，具体涉及一种NORD闪存及其制作方法。NORD闪存的制作方法，至少包括以下步骤：提供制作有字线结构和控制栅结构的半导体器件，字线结构包括字线多晶硅，控制栅结构位于字线多晶硅的两侧；对半导体器件的上表面进行无掩膜刻蚀，刻蚀去除字线多晶硅的上层；对字线多晶硅的上表面进行氧化，形成保护氧化层；在保护氧化层上沉积形成氮化硅层；在氮化硅层和保护氧化层的保护下，刻蚀控制栅结构，形成NORD闪存元胞；在相邻NORD闪存元胞之间制作形成隔离沟槽结构。该NORD闪存及其制作方法，可以解决相关技术中保护氧化层均匀性难保证的问题。