[发明专利]一种宽光谱响应的GaN：ZnO固溶体纳米线光电探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 202010681105.3 | 申请日： | 2020-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN111969075A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 张兴来;刘宝丹;马宗艺;李晶 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | H01L31/108 | 分类号： | H01L31/108;H01L31/0328;H01L31/036;H01L31/18;B82Y15/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件技术领域，特别是指一种宽光谱响应的GaN:ZnO固溶体纳米线光电探测器及其制备方法。该探测器自下而上依次有衬底、绝缘层、单根GaN:ZnO固溶体纳米线、金属电极，单根GaN:ZnO固溶体纳米线、金属电极设置于绝缘层上，金属电极分别覆盖在GaN:ZnO固溶体纳米线的两端，且形成欧姆接触。本发明中的GaN:ZnO固溶体纳米线具有堆垛层错和沿着纳米线轴向方向的双晶缺陷，这些缺陷的引入可以大幅拓宽光电探测器的光响应范围和提高光响应性能。而且，该器件制作工艺简单、成本低、光响应度高、光响应时间快、性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光谱 响应 gan zno 固溶体 纳米 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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