[发明专利]一种低EMI的GaN基开关电容型转换器电路在审

专利信息
申请号: 202010681874.3 申请日: 2020-07-15
公开(公告)号: CN112003468A 公开(公告)日: 2020-11-27
发明(设计)人: 王东俊;邓乐武;张雷;李丽娟;邓杰文 申请(专利权)人: 成都飞机工业(集团)有限责任公司
主分类号: H02M1/44 分类号: H02M1/44;H02M3/158
代理公司: 成都君合集专利代理事务所(普通合伙) 51228 代理人: 尹新路
地址: 610092 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种低EMI的GaN基开关电容型转换器电路,包括控制IC模块、驱动IC模块和功率转换模块,驱动IC模块包括第一驱动IC1和第二驱动IC2;功率转换模块包括第一GaN功率开关管G1、第二GaN功率开关管G2、第三GaN功率开关管G3和第四GaN功率开关管G4;控制IC模块用于为产生功率转换模块提供所需的时钟信号;驱动IC模块用于驱动GaN功率开关管,包括第一驱动IC1和第二驱动IC2,第一驱动IC1用于驱动第一GaN功率开关管G1和第二GaN功率开关管G2,第二驱动IC2用于驱动第三GaN功率开关管G3和第四GaN功率开关管G4;输入信号Vin经过功率转换模块的放大后做为输出信号Vout。
搜索关键词: 一种 emi gan 开关 电容 转换器 电路
【主权项】:
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