[发明专利]一种半导体器件中互连结构的加工方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件中互连结构的加工方法，该加工方法包括：提供一衬底，该衬底上设置有第N金属层及沉积在第N金属层上的介电层；形成接触孔；在接触孔内沉积第一金属结构，且第一金属结构未填满接触孔；去除沉积在接触孔外以及接触孔侧壁上的第一金属结构；在接触孔内的第一金属结构上堆叠第二金属结构，且第二金属结构填满接触孔，进行第二金属结构CMP平坦化；在介电层上设置第N+1金属层或器件。在沉积第二金属结构后，采用CMP方法去除接触孔外的第二金属结构，无传统Cu工艺导致的凹陷，使得第二金属结构与后续器件或金属层的接触面较为平整。只需进行一次套准对位即可，提高整体良率，减少加工成本。