[发明专利]耗尽型GaN基HFET器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010683676.0 | 申请日： | 2020-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN111564492A | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 莫炯炯;郁发新;王志宇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/423;H01L29/43;H01L29/20 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 贺妮妮 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种耗尽型GaN基HFET器件及其制备方法，该方法包括：提供耗尽型GaN基HFET器件薄膜结构；于薄膜结构上分别形成欧姆接触的源电极及漏电极、和过渡金属二卤化物半导体栅电极；于2DEG沟道外的过渡金属二卤化物半导体栅电极上形成金属栅电极；沉积钝化层以保护器件结构。本发明形成的HFET器件通过过渡金属二卤化物半导体栅电极自身集成了过压保护功能，无需后续通过电路设计额外增加过压保护功能；硫化钼半导体栅电极制备工艺简单，在室温条件一步完成图形化处理，免去了高温制备硫化钼的成本，工艺可重复性高，成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 耗尽 gan hfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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